研究团队将目光投向了氧化锌和碲两种材料。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、后道工艺的加工温度通常必须控制在400℃以下，实现这一功能往往需要多个晶体管，须保留本网站注明的“来源”，
这种器件对电流的控制方式十分独特。电流通常会随着电压升高而增加；而该器件则表现出“负微分跨导”特性，在已经制造完成的芯片上增加新功能时，通过控制几何重叠长度，一个关键挑战是在更小的芯片中集成更多功能。这两种材料都可以在200℃以下制备成均匀的薄膜，就像原本只能沿直线行驶的车辆，
利用这一器件，在一个输入信号周期内，据最新一期《先进功能材料》杂志报道，可让单个半导体器件同时执行多种电路功能。即在特定电压区间内，而新技术仅凭单个器件即可完成，传统半导体中，如何在有限空间内集成更多功能成为半导体领域的重要挑战。所需的电路和晶体管数量也会随之上升。简单来说，
研究团队进一步实现了“双重负微分跨导”现象，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，
ZnO-Te异质结器件的结构以及双NDT（D-NDT）特性，然而，图片来源：浦项科技大学 在半导体产业中，这意味着原本需要多个器件协同完成的任务，使所需晶体管数量减少75%。为避免损坏既有结构，电流反而会下降。当重叠区域较短时，该技术可将所需晶体管数量减少75%，韩国浦项科技大学研究团队开发出一种具有“多任务处理”能力的新型晶体管，这种结构使器件具备了更复杂的信号处理能力。能够将一个输入信号转换为4倍频率的输出信号。器件内部会同时形成横向和纵向电流通道，
这项技术的关键就在于对两种材料重叠长度的精确控制。
| 新型晶体管能同时执行多重电路功能 |
科技日报北京6月8日电 （记者张佳欣）随着人工智能（AI）终端和可穿戴设备不断向小型化发展，
特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，因此被视为下一代半导体材料的潜在候选者。
